近年來，隨著信息通信技術領域產生的數據量爆炸式增長，對存儲器性能和容量的需求不斷提升，存儲器測試環(huán)節(jié)也面臨著接口速率不斷提高（PCIe6.0/DDR5）、讀寫性能不斷升級（MRAM/PCM/RRAM/FRAM）、存儲容量不斷倍增（TLC/QLC，238/176層）以及快速分析測試結果等方面帶來的新挑戰(zhàn)。

Advantest T5503HS2量產測試系統

近日，Advantest（愛德萬）T5503HS2量產測試系統在佰維先進制造廠房成功裝機，進一步強化公司自身全棧存儲芯片測試能力。T5503HS2測試速率高達8Gbps，測試精度在±45皮秒，滿足佰維DDR5、LPDDR5產品的高頻高速測試需求，同時可兼顧測試DDR4、LPDDR4/4X及高帶寬存儲器器件。T5503HS2具備如下特點：

1

配備4.5-GHz高速時脈訊號產生器，可擴展測試超過8Gbps速率的存儲器

2

可自動識別和調整DQS-DQ時序差異，通過實時跟蹤確保更充足的時序余量

3

T5503HS2穩(wěn)固的全新演算圖樣產生器（ALPG），可對先進存儲器裝置進行快速、高質量的功能評估

4

具備全新可編程電源供應器，反應速度較先前版本（T5503）快4倍，大幅減少壓降的沖擊

T5503HS2測試系統Handler

T5503HS2測試系統Tester

佰維高度匹配存儲芯片關鍵特性測試低成本、高效靈活、支持高性能與高帶寬的特點，在SSD/DDR模組測試、芯片自動測試、SLT測試、ATE測試、BI老化測試等領域積累了豐富的開發(fā)經驗，搭配先進測試機臺，同時通過多年產品的開發(fā)、測試、應用循環(huán)迭代，公司擁有龐大的存儲芯片測試算法庫，有效地保障了存儲芯片的交付質量。

值得一提的是，佰維依托對存儲器應用場景的深刻理解，以及全面覆蓋Flash類/DRAM類存儲芯片的專業(yè)、高效測試能力，在DDR、LPDDR等產品領域不斷推陳出新，2022年公司推出了更高性能、更低功耗、更穩(wěn)定可靠的DDR5產品（傳輸速率高達4800Mbps，容量高達32GB）和LPDDR5產品（傳輸速率高達6400Mbps，容量高達64Gb），典型應用于平板電腦、PC/筆記本、智能手機、汽車、服務器、AIOT、工業(yè)控制、5G應用等領域。

此外，佰維憑借領先的先進封測優(yōu)勢和優(yōu)異的產品市場綜合競爭力，先后斬獲了“芯榜·芯未來”2022年度“中國先進封測企業(yè)獎”、全球存儲器行業(yè)創(chuàng)新論壇（GMIF）2022年度“杰出封裝測試服務獎”兩大殊榮。未來，佰維將不斷深化研發(fā)封測一體化經營模式，鞏固并發(fā)展公司在產品質量保證、產品大批量穩(wěn)定供應及產品定制化開發(fā)等方面的重要優(yōu)勢，保障以高質量產品和服務持續(xù)幫助客戶取得商業(yè)成功。