據(jù)報道，存儲行業(yè)在經(jīng)歷了有史以來最長的庫存調(diào)整期之后，下游廠商已經(jīng)被告知在第四季度合約價格將上漲。

這一波漲價從8-9月份的現(xiàn)貨市場開始，依賴現(xiàn)貨的模組廠率先做出了反應(yīng)，報價可以迅速調(diào)整，而合約市場則會在第四季度逐步實施漲價。

據(jù)悉，NAND Flash在第四季度的合約價格有望上漲10%至20%，而DRAM的價格則預(yù)計上漲約10%。盡管不同產(chǎn)品的漲幅不同，但漲幅均在雙位數(shù)水平。

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根據(jù)TrendForce的研究數(shù)據(jù)，目前普通服務(wù)器的DRAM（不包括HBM）平均容量約為500~600GB，而AI服務(wù)器的平均容量則可以達(dá)到1.2~1.7TB，其所需的DRAM容量遠(yuǎn)高于普通服務(wù)器。

目前AI服務(wù)器的發(fā)展需求非常強(qiáng)勁，預(yù)計2023年AI服務(wù)器的出貨量將接近120萬臺，年增長率近38%。AI服務(wù)器的大幅增長有望帶來存儲芯片價值增量。

隨著各大存儲廠商紛紛下調(diào)2023年的資本開支計劃并降低生產(chǎn)率，預(yù)計全年的行業(yè)供給增速將低于需求增速，供需將逐步達(dá)到平衡，這將有助于庫存修復(fù)。機(jī)構(gòu)預(yù)計2023年下半年市場將加速筑底，有望迎來上行周期。隨著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)等領(lǐng)域的發(fā)展，行業(yè)需求將得到持續(xù)擴(kuò)張。#半導(dǎo)體##存儲芯片##人工智能#

存儲芯片行業(yè)概覽

存儲芯片在半導(dǎo)體行業(yè)中占據(jù)重要地位，其市場規(guī)模僅次于邏輯芯片，是半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)最大的細(xì)分市場，占據(jù)近30%的份額。

由于存儲芯片標(biāo)準(zhǔn)化程度高，可替代性強(qiáng)，具備大宗商品屬性，其價格受下游需求影響較為敏感，行業(yè)景氣度受供需關(guān)系影響較大，呈現(xiàn)出較強(qiáng)的周期性，被視為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)周期的風(fēng)向標(biāo)。

從市場增速來看，存儲芯片與半導(dǎo)體走勢基本一致，且周期性波動高于半導(dǎo)體行業(yè)整體波動。存儲原廠追求經(jīng)濟(jì)效益最優(yōu)的“二八原則”，通常只聚焦智能手機(jī)、PC及服務(wù)器等具有大宗數(shù)據(jù)存儲需求的行業(yè)頭部客戶。

模組廠則瞄準(zhǔn)廣泛細(xì)分市場，為細(xì)分客戶提供客制化服務(wù)，將標(biāo)準(zhǔn)化晶圓轉(zhuǎn)化為存儲產(chǎn)品，提升存儲器在各類應(yīng)用場景的適用性。

存儲芯片產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)崂?/h1>存儲芯片行業(yè)的產(chǎn)業(yè)鏈起始于一系列半導(dǎo)體材料的供應(yīng)商，包括硅片、光刻膠、靶材、拋光材料和電子特種氣體等，同時也包括半導(dǎo)體設(shè)備的供應(yīng)商，如光刻機(jī)、PVD設(shè)備、CVD設(shè)備、刻蝕設(shè)備和清洗設(shè)備等。

產(chǎn)業(yè)鏈中游由存儲芯片制造商主導(dǎo)，主要負(fù)責(zé)存儲芯片的設(shè)計、生產(chǎn)和封裝測試。這些存儲芯片有多種類型，包括DRAM、NAND閃存和NOR閃存等，被廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、汽車電子、信息通信和人工智能等多個領(lǐng)域。

從分類來看，2022年全球存儲芯片市場規(guī)模約1392億美元，DRAM 2022年市場規(guī)模為790.61億美元，占比存儲芯片的56.8%，NAND FLASH 2022年市場規(guī)模為601.26億美元，占比存儲芯片的43.2%。

產(chǎn)業(yè)鏈的下游涵蓋了眾多應(yīng)用領(lǐng)域內(nèi)的企業(yè)，不僅需要存儲芯片作為其產(chǎn)品和服務(wù)的核心組件，同時也對存儲芯片的性能、可靠性和成本等方面有嚴(yán)格的要求。

存儲芯片競爭格局和龍頭梳理

從存儲芯片的產(chǎn)品布局來看，海外巨頭與國內(nèi)廠商有著不同的聚焦點。

海外巨頭主要集中在DRAM、NAND等高端市場，業(yè)務(wù)重心在大容量存儲產(chǎn)品。

國內(nèi)存儲廠商則主要布局在利基型存儲，包括利基DRAM、SLC NAND、NOR Flash等中小容量產(chǎn)品。

四類NAND存儲芯片各參數(shù)對比：

資料來源：芯達(dá)人

存儲芯片的技術(shù)壁壘體現(xiàn)在不斷迭代的技術(shù)節(jié)點中。

對于DRAM而言，制程是關(guān)鍵的迭代路徑，目前市場前沿的布局節(jié)點已達(dá)到了10-14nm的水平，這對廠商的研發(fā)能力提出了高要求，以便跟上市場主流的步伐。

而NAND則通過3D堆疊層數(shù)進(jìn)行迭代，當(dāng)前市場前沿節(jié)點已達(dá)到200+層，這同樣需要廠商具備深厚的專業(yè)知識。

市場格局方面來看，DRAM市場更為集中，主要被三星、海力士和美光三家公司主導(dǎo)，據(jù)IDC數(shù)據(jù)，2022年DRAM行業(yè)CR3已達(dá)到95%，預(yù)計未來競爭格局將逐步趨于穩(wěn)定。

相比之下，NAND市場的競爭格局更為分散。盡管三星、海力士、美光仍是主要玩家，但還包括Intel、WDC與鎧俠等其他廠商。

國內(nèi)在利基DRAM方面，華邦電子、兆易創(chuàng)新、北京君正規(guī)模較大；SLC NAND領(lǐng)域，東芯股份為本土SLC NAND龍頭；NOR方面，領(lǐng)先廠商包括華邦、旺宏、兆易創(chuàng)新等。

SLC NAND占整個NAND市場的比重約為2%，市場主流應(yīng)用為TLC與MLC。SLC NANDFlash行業(yè)內(nèi)龍頭主要為鎧俠、華邦電子、旺宏電子等企業(yè)。

由于利基型存儲競爭格局較為分散，且海外巨頭正逐漸淡出利基型存儲市場，隨著國產(chǎn)化需求提升，具備研發(fā)能力的國內(nèi)存儲廠商將迎來良好的替代機(jī)遇。

模組方面來看，盡管海外龍頭模組廠依舊占據(jù)模組市場主要份額，但國內(nèi)各模組廠已取得長足的進(jìn)步。江波龍、德明利、佰維存、朗科科技等廠商都在奮力追趕，加速國產(chǎn)替代進(jìn)程！

產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)配套廠商中還包括設(shè)備材料+封測雅克科技、深科技、精智達(dá)等；芯片方面兆易創(chuàng)新、東芯股份、北京君正、普冉股份、恒爍股份等。這些優(yōu)秀的龍頭廠商都是在存儲芯片產(chǎn)業(yè)鏈上有著重要地位的企業(yè)，有望在產(chǎn)業(yè)的發(fā)展中受益并發(fā)揮重要作用。

總的來說，存儲芯片行業(yè)的技術(shù)和格局都在不斷演變中。未來，隨著技術(shù)的進(jìn)步和市場競爭的加劇，行業(yè)將呈現(xiàn)出更加集中、更具競爭力的態(tài)勢。

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