據(jù)報(bào)道，存儲(chǔ)行業(yè)在經(jīng)歷了有史以來(lái)最長(zhǎng)的庫(kù)存調(diào)整期之后，下游廠商已經(jīng)被告知在第四季度合約價(jià)格將上漲。

這一波漲價(jià)從8-9月份的現(xiàn)貨市場(chǎng)開(kāi)始，依賴(lài)現(xiàn)貨的模組廠率先做出了反應(yīng)，報(bào)價(jià)可以迅速調(diào)整，而合約市場(chǎng)則會(huì)在第四季度逐步實(shí)施漲價(jià)。

據(jù)悉，NAND Flash在第四季度的合約價(jià)格有望上漲10%至20%，而DRAM的價(jià)格則預(yù)計(jì)上漲約10%。盡管不同產(chǎn)品的漲幅不同，但漲幅均在雙位數(shù)水平。

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根據(jù)TrendForce的研究數(shù)據(jù)，目前普通服務(wù)器的DRAM（不包括HBM）平均容量約為500~600GB，而AI服務(wù)器的平均容量則可以達(dá)到1.2~1.7TB，其所需的DRAM容量遠(yuǎn)高于普通服務(wù)器。

目前AI服務(wù)器的發(fā)展需求非常強(qiáng)勁，預(yù)計(jì)2023年AI服務(wù)器的出貨量將接近120萬(wàn)臺(tái)，年增長(zhǎng)率近38%。AI服務(wù)器的大幅增長(zhǎng)有望帶來(lái)存儲(chǔ)芯片價(jià)值增量。

隨著各大存儲(chǔ)廠商紛紛下調(diào)2023年的資本開(kāi)支計(jì)劃并降低生產(chǎn)率，預(yù)計(jì)全年的行業(yè)供給增速將低于需求增速，供需將逐步達(dá)到平衡，這將有助于庫(kù)存修復(fù)。機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)2023年下半年市場(chǎng)將加速筑底，有望迎來(lái)上行周期。隨著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)等領(lǐng)域的發(fā)展，行業(yè)需求將得到持續(xù)擴(kuò)張。#半導(dǎo)體##存儲(chǔ)芯片##人工智能#

存儲(chǔ)芯片行業(yè)概覽

存儲(chǔ)芯片在半導(dǎo)體行業(yè)中占據(jù)重要地位，其市場(chǎng)規(guī)模僅次于邏輯芯片，是半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)最大的細(xì)分市場(chǎng)，占據(jù)近30%的份額。

由于存儲(chǔ)芯片標(biāo)準(zhǔn)化程度高，可替代性強(qiáng)，具備大宗商品屬性，其價(jià)格受下游需求影響較為敏感，行業(yè)景氣度受供需關(guān)系影響較大，呈現(xiàn)出較強(qiáng)的周期性，被視為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)周期的風(fēng)向標(biāo)。

從市場(chǎng)增速來(lái)看，存儲(chǔ)芯片與半導(dǎo)體走勢(shì)基本一致，且周期性波動(dòng)高于半導(dǎo)體行業(yè)整體波動(dòng)。存儲(chǔ)原廠追求經(jīng)濟(jì)效益最優(yōu)的“二八原則”，通常只聚焦智能手機(jī)、PC及服務(wù)器等具有大宗數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求的行業(yè)頭部客戶(hù)。

模組廠則瞄準(zhǔn)廣泛細(xì)分市場(chǎng)，為細(xì)分客戶(hù)提供客制化服務(wù)，將標(biāo)準(zhǔn)化晶圓轉(zhuǎn)化為存儲(chǔ)產(chǎn)品，提升存儲(chǔ)器在各類(lèi)應(yīng)用場(chǎng)景的適用性。

存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)崂?/h1>存儲(chǔ)芯片行業(yè)的產(chǎn)業(yè)鏈起始于一系列半導(dǎo)體材料的供應(yīng)商，包括硅片、光刻膠、靶材、拋光材料和電子特種氣體等，同時(shí)也包括半導(dǎo)體設(shè)備的供應(yīng)商，如光刻機(jī)、PVD設(shè)備、CVD設(shè)備、刻蝕設(shè)備和清洗設(shè)備等。

產(chǎn)業(yè)鏈中游由存儲(chǔ)芯片制造商主導(dǎo)，主要負(fù)責(zé)存儲(chǔ)芯片的設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和封裝測(cè)試。這些存儲(chǔ)芯片有多種類(lèi)型，包括DRAM、NAND閃存和NOR閃存等，被廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、汽車(chē)電子、信息通信和人工智能等多個(gè)領(lǐng)域。

從分類(lèi)來(lái)看，2022年全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模約1392億美元，DRAM 2022年市場(chǎng)規(guī)模為790.61億美元，占比存儲(chǔ)芯片的56.8%，NAND FLASH 2022年市場(chǎng)規(guī)模為601.26億美元，占比存儲(chǔ)芯片的43.2%。

產(chǎn)業(yè)鏈的下游涵蓋了眾多應(yīng)用領(lǐng)域內(nèi)的企業(yè)，不僅需要存儲(chǔ)芯片作為其產(chǎn)品和服務(wù)的核心組件，同時(shí)也對(duì)存儲(chǔ)芯片的性能、可靠性和成本等方面有嚴(yán)格的要求。

存儲(chǔ)芯片競(jìng)爭(zhēng)格局和龍頭梳理

從存儲(chǔ)芯片的產(chǎn)品布局來(lái)看，海外巨頭與國(guó)內(nèi)廠商有著不同的聚焦點(diǎn)。

海外巨頭主要集中在DRAM、NAND等高端市場(chǎng)，業(yè)務(wù)重心在大容量存儲(chǔ)產(chǎn)品。

國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)廠商則主要布局在利基型存儲(chǔ)，包括利基DRAM、SLC NAND、NOR Flash等中小容量產(chǎn)品。

四類(lèi)NAND存儲(chǔ)芯片各參數(shù)對(duì)比：

資料來(lái)源：芯達(dá)人

存儲(chǔ)芯片的技術(shù)壁壘體現(xiàn)在不斷迭代的技術(shù)節(jié)點(diǎn)中。

對(duì)于DRAM而言，制程是關(guān)鍵的迭代路徑，目前市場(chǎng)前沿的布局節(jié)點(diǎn)已達(dá)到了10-14nm的水平，這對(duì)廠商的研發(fā)能力提出了高要求，以便跟上市場(chǎng)主流的步伐。

而NAND則通過(guò)3D堆疊層數(shù)進(jìn)行迭代，當(dāng)前市場(chǎng)前沿節(jié)點(diǎn)已達(dá)到200+層，這同樣需要廠商具備深厚的專(zhuān)業(yè)知識(shí)。

市場(chǎng)格局方面來(lái)看，DRAM市場(chǎng)更為集中，主要被三星、海力士和美光三家公司主導(dǎo)，據(jù)IDC數(shù)據(jù)，2022年DRAM行業(yè)CR3已達(dá)到95%，預(yù)計(jì)未來(lái)競(jìng)爭(zhēng)格局將逐步趨于穩(wěn)定。

相比之下，NAND市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)格局更為分散。盡管三星、海力士、美光仍是主要玩家，但還包括Intel、WDC與鎧俠等其他廠商。

國(guó)內(nèi)在利基DRAM方面，華邦電子、兆易創(chuàng)新、北京君正規(guī)模較大；SLC NAND領(lǐng)域，東芯股份為本土SLC NAND龍頭；NOR方面，領(lǐng)先廠商包括華邦、旺宏、兆易創(chuàng)新等。

SLC NAND占整個(gè)NAND市場(chǎng)的比重約為2%，市場(chǎng)主流應(yīng)用為T(mén)LC與MLC。SLC NANDFlash行業(yè)內(nèi)龍頭主要為鎧俠、華邦電子、旺宏電子等企業(yè)。

由于利基型存儲(chǔ)競(jìng)爭(zhēng)格局較為分散，且海外巨頭正逐漸淡出利基型存儲(chǔ)市場(chǎng)，隨著國(guó)產(chǎn)化需求提升，具備研發(fā)能力的國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)廠商將迎來(lái)良好的替代機(jī)遇。

模組方面來(lái)看，盡管海外龍頭模組廠依舊占據(jù)模組市場(chǎng)主要份額，但國(guó)內(nèi)各模組廠已取得長(zhǎng)足的進(jìn)步。江波龍、德明利、佰維存、朗科科技等廠商都在奮力追趕，加速?lài)?guó)產(chǎn)替代進(jìn)程！

產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)配套廠商中還包括設(shè)備材料+封測(cè)雅克科技、深科技、精智達(dá)等；芯片方面兆易創(chuàng)新、東芯股份、北京君正、普冉股份、恒爍股份等。這些優(yōu)秀的龍頭廠商都是在存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)鏈上有著重要地位的企業(yè)，有望在產(chǎn)業(yè)的發(fā)展中受益并發(fā)揮重要作用。

總的來(lái)說(shuō)，存儲(chǔ)芯片行業(yè)的技術(shù)和格局都在不斷演變中。未來(lái)，隨著技術(shù)的進(jìn)步和市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的加劇，行業(yè)將呈現(xiàn)出更加集中、更具競(jìng)爭(zhēng)力的態(tài)勢(shì)。

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