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荷蘭半導(dǎo)體出口管制，在9月1日就正式生效了。荷蘭的ASML是全球光刻機(jī)的龍頭，對(duì)我國(guó)主要是高端光刻機(jī)出口管制。根據(jù)之前的消息，NXT:2000i以上高端機(jī)型，我們是買不到了，但是，1980及以下型號(hào)浸沒(méi)式光刻機(jī)，我們還是能夠正常買到的。
高端的光刻機(jī)，比如EUV，能夠生產(chǎn)7nm、5nm的制程芯片，低端的光刻機(jī)是沒(méi)法生產(chǎn)的。但是，我國(guó)很多行業(yè)都需要用到高端的芯片，所以國(guó)內(nèi)的光刻機(jī)一直有國(guó)產(chǎn)替代的需求。但是，高端光刻機(jī)的研發(fā)，是沒(méi)那么快的。除了研發(fā)高端的光刻機(jī)之外，還有一個(gè)相對(duì)更容易的路徑，也能夠提升芯片制程，那就是——多重曝光。
之前就有很多關(guān)于多重曝光的討論，不過(guò)A股市場(chǎng)上，一直沒(méi)炒作起來(lái)。但是，最近華為的消息，非常振奮人心。華為近期發(fā)布了Mate 60 Pro，經(jīng)過(guò)多方的確認(rèn)，華為Mate 60 Pro，用的是麒麟9000s芯片，中芯國(guó)際代工的N+2技術(shù)，采用ASML浸潤(rùn)式DUV 1980Di (光刻機(jī))，多重曝光，生成的7nm工藝。換句話說(shuō)，之前多重曝光一直是理論上探討，但是，現(xiàn)在華為的動(dòng)作表明，這項(xiàng)技術(shù)我們已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了。那么對(duì)于國(guó)內(nèi)芯片產(chǎn)業(yè)來(lái)說(shuō)，芯片制程突破到了7nm，實(shí)現(xiàn)了國(guó)產(chǎn)替代，情緒上振奮人心，也利好芯片產(chǎn)業(yè)鏈。
再說(shuō)回多重曝光技術(shù)，目前主流的多重曝光技術(shù)分為L(zhǎng)ELE、LFLE或SADP。用的是荷蘭ASML浸潤(rùn)式DUV 1980Di 光刻機(jī)，LELE、LFLE技術(shù)是將一層電路拆分成幾層進(jìn)行光刻，SADP則是通過(guò)控制沉積和刻蝕過(guò)程中的厚度和形貌，實(shí)現(xiàn)更高的精度。這個(gè)方法，能夠?qū)崿F(xiàn)7nm的芯片制程。但是同時(shí)也會(huì)產(chǎn)生一定的影響。
第一個(gè)就是會(huì)增加光刻膠的用量。如下圖，通過(guò)四次曝光方式，完成一次圖形轉(zhuǎn)移，曝光次數(shù)明顯增多，光刻膠使用量就大幅增加。因此，光刻膠相關(guān)品種值得關(guān)注，包括容大感光、南大光電等。
下圖是我國(guó)光刻膠行業(yè)國(guó)產(chǎn)化以及進(jìn)口替代情況，當(dāng)下炒作的主要是半導(dǎo)體光刻膠這個(gè)細(xì)分。
另外，多重曝光技術(shù)，通常需要反復(fù)進(jìn)行涂膠—光刻—顯影—刻蝕等工藝流程，因此光刻多重曝光技術(shù)的發(fā)展，大大增加了浸沒(méi)式DUV光刻機(jī)、涂膠顯影機(jī)、刻蝕機(jī)、薄膜沉積等設(shè)備的潛在需求。A股市場(chǎng)上，半導(dǎo)體設(shè)備相關(guān)品種同樣值得關(guān)注。比如顯影液的格林達(dá)、盛劍環(huán)境；刻蝕機(jī)的中微公司、北方華創(chuàng)；薄膜沉積設(shè)備的微導(dǎo)納米等。
另外，無(wú)論是哪種技術(shù)路徑，多重曝光都會(huì)導(dǎo)致良率顯著降低，因此，對(duì)于檢測(cè)設(shè)備的需求同樣會(huì)大幅提升。檢測(cè)設(shè)備相關(guān)品種：廣立微、長(zhǎng)川科技等。
注意：再好的邏輯，也得結(jié)合大環(huán)境、漲跌趨勢(shì)等因素來(lái)選擇介入跟退出的時(shí)機(jī)。以上內(nèi)容僅是基于行業(yè)以及公司基本面的靜態(tài)分析，非動(dòng)態(tài)買賣指導(dǎo)。以上觀點(diǎn)僅供參考，據(jù)此建議風(fēng)險(xiǎn)自擔(dān)，股市有風(fēng)險(xiǎn)，入市需謹(jǐn)慎。最后，喜歡我文章的朋友，記得加好關(guān)注，不迷路哦！
高端的光刻機(jī)，比如EUV，能夠生產(chǎn)7nm、5nm的制程芯片，低端的光刻機(jī)是沒(méi)法生產(chǎn)的。但是，我國(guó)很多行業(yè)都需要用到高端的芯片，所以國(guó)內(nèi)的光刻機(jī)一直有國(guó)產(chǎn)替代的需求。但是，高端光刻機(jī)的研發(fā)，是沒(méi)那么快的。除了研發(fā)高端的光刻機(jī)之外，還有一個(gè)相對(duì)更容易的路徑，也能夠提升芯片制程，那就是——多重曝光。
之前就有很多關(guān)于多重曝光的討論，不過(guò)A股市場(chǎng)上，一直沒(méi)炒作起來(lái)。但是，最近華為的消息，非常振奮人心。華為近期發(fā)布了Mate 60 Pro，經(jīng)過(guò)多方的確認(rèn)，華為Mate 60 Pro，用的是麒麟9000s芯片，中芯國(guó)際代工的N+2技術(shù)，采用ASML浸潤(rùn)式DUV 1980Di (光刻機(jī))，多重曝光，生成的7nm工藝。換句話說(shuō)，之前多重曝光一直是理論上探討，但是，現(xiàn)在華為的動(dòng)作表明，這項(xiàng)技術(shù)我們已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了。那么對(duì)于國(guó)內(nèi)芯片產(chǎn)業(yè)來(lái)說(shuō)，芯片制程突破到了7nm，實(shí)現(xiàn)了國(guó)產(chǎn)替代，情緒上振奮人心，也利好芯片產(chǎn)業(yè)鏈。
再說(shuō)回多重曝光技術(shù)，目前主流的多重曝光技術(shù)分為L(zhǎng)ELE、LFLE或SADP。用的是荷蘭ASML浸潤(rùn)式DUV 1980Di 光刻機(jī)，LELE、LFLE技術(shù)是將一層電路拆分成幾層進(jìn)行光刻，SADP則是通過(guò)控制沉積和刻蝕過(guò)程中的厚度和形貌，實(shí)現(xiàn)更高的精度。這個(gè)方法，能夠?qū)崿F(xiàn)7nm的芯片制程。但是同時(shí)也會(huì)產(chǎn)生一定的影響。
第一個(gè)就是會(huì)增加光刻膠的用量。如下圖，通過(guò)四次曝光方式，完成一次圖形轉(zhuǎn)移，曝光次數(shù)明顯增多，光刻膠使用量就大幅增加。因此，光刻膠相關(guān)品種值得關(guān)注，包括容大感光、南大光電等。
下圖是我國(guó)光刻膠行業(yè)國(guó)產(chǎn)化以及進(jìn)口替代情況，當(dāng)下炒作的主要是半導(dǎo)體光刻膠這個(gè)細(xì)分。
另外，多重曝光技術(shù)，通常需要反復(fù)進(jìn)行涂膠—光刻—顯影—刻蝕等工藝流程，因此光刻多重曝光技術(shù)的發(fā)展，大大增加了浸沒(méi)式DUV光刻機(jī)、涂膠顯影機(jī)、刻蝕機(jī)、薄膜沉積等設(shè)備的潛在需求。A股市場(chǎng)上，半導(dǎo)體設(shè)備相關(guān)品種同樣值得關(guān)注。比如顯影液的格林達(dá)、盛劍環(huán)境；刻蝕機(jī)的中微公司、北方華創(chuàng)；薄膜沉積設(shè)備的微導(dǎo)納米等。
另外，無(wú)論是哪種技術(shù)路徑，多重曝光都會(huì)導(dǎo)致良率顯著降低，因此，對(duì)于檢測(cè)設(shè)備的需求同樣會(huì)大幅提升。檢測(cè)設(shè)備相關(guān)品種：廣立微、長(zhǎng)川科技等。
注意：再好的邏輯，也得結(jié)合大環(huán)境、漲跌趨勢(shì)等因素來(lái)選擇介入跟退出的時(shí)機(jī)。以上內(nèi)容僅是基于行業(yè)以及公司基本面的靜態(tài)分析，非動(dòng)態(tài)買賣指導(dǎo)。以上觀點(diǎn)僅供參考，據(jù)此建議風(fēng)險(xiǎn)自擔(dān)，股市有風(fēng)險(xiǎn)，入市需謹(jǐn)慎。最后，喜歡我文章的朋友，記得加好關(guān)注，不迷路哦！
