內(nèi)容概況：2022年中國(guó)第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到111.79億元，同比增長(zhǎng)39.2%，2018年到2022年復(fù)合增長(zhǎng)率為43%，增長(zhǎng)速度驚人。其中2022年氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到62.58億元，碳化硅（SiC）半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到43.45億元，其他化合物半導(dǎo)體為5.76億元。

關(guān)鍵詞：第三代半導(dǎo)體發(fā)展歷程、第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模、第三代半導(dǎo)體發(fā)展趨勢(shì)

一、半導(dǎo)體材料不斷演化，性能功能顯著性提升

以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石、氮化鋁（AIN）為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料，被稱(chēng)為第三代半導(dǎo)體材料。與傳統(tǒng)材料相比，第三代半導(dǎo)體材料更適合制造耐高溫、耐高壓、耐大電流的高頻大功率器件，因此，其為基礎(chǔ)制成的第三代半導(dǎo)體具備更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場(chǎng)、更高的導(dǎo)熱率，以及更強(qiáng)的抗輻射能力等諸多優(yōu)勢(shì)，在高溫、高頻、強(qiáng)輻射等環(huán)境下被廣泛應(yīng)用。

中國(guó)第三代半導(dǎo)體興起的時(shí)間較短，2013年，科技部863計(jì)劃首次將第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)列為國(guó)家戰(zhàn)略發(fā)展產(chǎn)業(yè)。

2016年，為第三代半導(dǎo)體發(fā)展元年，國(guó)務(wù)院國(guó)家新產(chǎn)業(yè)發(fā)展小組將第三半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)列為發(fā)展重點(diǎn)，國(guó)內(nèi)企業(yè)擴(kuò)大第三半導(dǎo)體研發(fā)項(xiàng)目投資，行業(yè)進(jìn)入快速發(fā)展期。2018年1月，中車(chē)時(shí)代電氣建成國(guó)內(nèi)第一條6英寸碳化硅生產(chǎn)線；2018年，泰科天潤(rùn)建成了國(guó)內(nèi)第一條碳化硅器件生產(chǎn)線；2019年9月，三安集成已建成了國(guó)內(nèi)第一條6英寸氮化鎵（GaN）、砷化鎵（GaAs）外延芯片產(chǎn)線并投入量產(chǎn)。在2020年7月，華潤(rùn)微宣布國(guó)內(nèi)首條6英寸商用SiC晶圓生產(chǎn)線正式量產(chǎn)。2020年9月，第三代半導(dǎo)體寫(xiě)入“十四五”規(guī)劃，行業(yè)被推向風(fēng)口。第三代半導(dǎo)體的優(yōu)異性能使其在半導(dǎo)體照明、新一代移動(dòng)通信、新能源并網(wǎng)、智能電網(wǎng)、高速軌道交通、新能源汽車(chē)、消費(fèi)類(lèi)電子等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈分為上游原材料供應(yīng)，中游第三代半導(dǎo)體制造和下游第三代半導(dǎo)體器件環(huán)節(jié)。上游原材料包括襯底和外延片;中游包括第三代版奧體設(shè)計(jì)、晶圓制造和封裝測(cè)試;下游為第三代半導(dǎo)體器件應(yīng)用，包括微波射頻器件、電力電子器件和光電子器件等。中國(guó)第三代半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈如下：

二、第三代半導(dǎo)體性能優(yōu)越，市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)攀升

近年來(lái)，我國(guó)信息技術(shù)得到迅猛發(fā)展，半導(dǎo)體作為其中的關(guān)鍵器件起著重要的作用。政策方面國(guó)家出臺(tái)了一系列相關(guān)政策旨在大力提升先進(jìn)計(jì)算、新型智能終端、超高清視頻、網(wǎng)絡(luò)安全等數(shù)字優(yōu)勢(shì)產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力，積極推進(jìn)光電子、高端軟件等核心基礎(chǔ)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新突破，這大大提高了對(duì)半導(dǎo)體的需求，同時(shí)外部環(huán)境美國(guó)在芯片方面的制裁促使國(guó)家對(duì)芯片半導(dǎo)體的重視。種種原因使得中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng)迅速，2022年中國(guó)第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到111.79億元，同比增長(zhǎng)39.2%，2018年到2022年復(fù)合增長(zhǎng)率為43%，增長(zhǎng)速度驚人。其中2022年氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到62.58億元，碳化硅（SiC）半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到43.45億元，其他化合物半導(dǎo)體為5.76億元。

相關(guān)報(bào)告：智研咨詢(xún)發(fā)布的《2023-2029年中國(guó)第三代半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)深度分析及未來(lái)趨勢(shì)預(yù)測(cè)報(bào)告》

預(yù)計(jì)未來(lái)，互聯(lián)網(wǎng)與信息技術(shù)的持續(xù)進(jìn)步，對(duì)半導(dǎo)體的需求會(huì)越來(lái)越高，預(yù)計(jì)2023年第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到152.15億元，2028年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到583.17億元，2023年到2028年復(fù)合增長(zhǎng)率為30.83%，隨著市場(chǎng)的之間飽和，增速有所下降，但整體市場(chǎng)規(guī)模依然穩(wěn)定持續(xù)增長(zhǎng)。

從市場(chǎng)需求供給來(lái)看，中國(guó)第三代半導(dǎo)體需求遠(yuǎn)大于供給。2022年中國(guó)對(duì)第三代半導(dǎo)體的需求為28.16億個(gè)，而產(chǎn)量只有2.66億個(gè)，需求缺口巨大，常年進(jìn)口大量第三代半導(dǎo)體。隨著技術(shù)的進(jìn)步和成熟，第三代半導(dǎo)體的單價(jià)逐漸降低，2022年單價(jià)為3.97元每個(gè)。預(yù)計(jì)在將來(lái)技術(shù)的完善和產(chǎn)品的迭代，第三代半導(dǎo)體單價(jià)將會(huì)持續(xù)走低。

氮化鎵（GaN）主要被應(yīng)用于通訊基站、功率器件等領(lǐng)域，功放效率高、功率密度大，因而能節(jié)省大量電能，同時(shí)減少基站體積和質(zhì)量。據(jù)統(tǒng)計(jì)2022年中國(guó)第三代氮化鎵半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模為62.58億元，同比增長(zhǎng)31.3%，其中無(wú)線基礎(chǔ)、國(guó)防軍工、有線寬帶、衛(wèi)星通信領(lǐng)域市場(chǎng)規(guī)模分別為34.26億元、21.3億元、1.35億元、4.21億元、1.46億元，市場(chǎng)規(guī)模占比分別為54.75%、34.04%、2.16%、6.73%、2.33%。

碳化硅（SiC）主要用于大功率高頻功率器件，如汽車(chē)、工業(yè)用途等。據(jù)統(tǒng)計(jì)2022年中國(guó)第三代碳化硅半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模為43.45億元，同比增長(zhǎng)54.57%，其中汽車(chē)領(lǐng)域、LED及射頻器件、能源領(lǐng)域、工業(yè)領(lǐng)域、電信及基礎(chǔ)設(shè)施等領(lǐng)域市場(chǎng)份額分別為16.16億元、16.62億元、3.52億元、3.15億元、2.34億元，市場(chǎng)占比份額分別為37.19%、38.25%、8.10%、7.25%、5.39%、3.82%。

三、政策、市場(chǎng)和技術(shù)因素推動(dòng)行業(yè)快速發(fā)展

中國(guó)第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)企業(yè)較多，競(jìng)爭(zhēng)較為激烈。但各個(gè)企業(yè)在半導(dǎo)體領(lǐng)域研發(fā)的方向略有不同，三安光電主要從事全色系超高亮度LED外延片、芯片、Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體材料、微波通訊集成電路與功率器件、光通訊元器件等的研發(fā)、生產(chǎn)與銷(xiāo)售；揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司是國(guó)內(nèi)少數(shù)集半導(dǎo)體分立器件芯片設(shè)計(jì)制造、器件封裝測(cè)試、終端銷(xiāo)售與服務(wù)等產(chǎn)業(yè)鏈垂直一體化（IDM）的杰出廠商。目前市場(chǎng)上客戶(hù)對(duì)半導(dǎo)體的功能各有不同的需求，不同企業(yè)研發(fā)的不同方向的芯片有利于滿(mǎn)足市場(chǎng)的需求，同時(shí)對(duì)行業(yè)的迭代升級(jí)具有助推作用。

第三代半導(dǎo)體寫(xiě)入“十四五”規(guī)劃后，市場(chǎng)上對(duì)該半導(dǎo)體的需求和要求越來(lái)越高，市場(chǎng)規(guī)模將持續(xù)穩(wěn)定升高，行業(yè)也將在市場(chǎng)的催化下迭代升級(jí)，產(chǎn)品性能功能也將不斷完善。未來(lái)，在市場(chǎng)規(guī)模趨勢(shì)方面，我國(guó)第三代半導(dǎo)體行業(yè)將持續(xù)保持高速增長(zhǎng);在細(xì)分產(chǎn)品發(fā)展趨勢(shì)方面，SiC需求將會(huì)增長(zhǎng)，GaN應(yīng)用場(chǎng)景將進(jìn)一步拓展;在技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)方面，大尺寸Si基GaN外延等問(wèn)題將會(huì)有所進(jìn)展。

智研咨詢(xún)發(fā)布的《2023-202?9年中國(guó)第三代半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)深度分析及未來(lái)趨勢(shì)預(yù)測(cè)報(bào)告》依據(jù)國(guó)家統(tǒng)計(jì)局、政府機(jī)構(gòu)、行業(yè)協(xié)會(huì)發(fā)布的權(quán)威數(shù)據(jù)，結(jié)合深度調(diào)研數(shù)據(jù)、專(zhuān)家反饋數(shù)據(jù)、內(nèi)部運(yùn)營(yíng)數(shù)據(jù)等全域數(shù)據(jù)的收集與分析，提升客戶(hù)的商業(yè)決策效率。本報(bào)告對(duì)中國(guó)第三代半導(dǎo)體行業(yè)現(xiàn)狀與市場(chǎng)做了深入的調(diào)查研究，并根據(jù)行業(yè)的發(fā)展軌跡對(duì)未來(lái)的發(fā)展前景與趨勢(shì)作了審慎的判斷，為投資者尋找新的市場(chǎng)投資機(jī)會(huì)，進(jìn)入第三代半導(dǎo)體行業(yè)投資布局提供了至關(guān)重要的決策參考依據(jù)。

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