三代半導(dǎo)體襯底材料指標(biāo)參數(shù)的對(duì)比

圖表來源：《寬禁帶半導(dǎo)體高頻及微波功率器件與電路》趙正平，國(guó)防工業(yè)出版社

半導(dǎo)體襯底材料的發(fā)展到今天，已經(jīng)走過了3個(gè)時(shí)期。

1）第一階開始于在20世紀(jì)50年代

以硅（Si）為代表的第一代半導(dǎo)體材料做成的二極管、晶體管代替電子管，觸發(fā)了以集成電路為主的微電子產(chǎn)業(yè)飛速發(fā)展。

2）第二階段開始于 20 世紀(jì) 90 年代

伴隨著半導(dǎo)體工業(yè)的發(fā)展，硅材料的物理瓶頸問題日益突出，以砷化鎵GaAs為代表的第二代半導(dǎo)體硅材料開始異軍突起，加上相關(guān)器件制備技術(shù)的逐步成熟使得半導(dǎo)體材料步入光電子領(lǐng)域；

3）第三階段也就是最近這幾年

第三代半導(dǎo)體材料，以碳化硅SiC 、氮化鎵GaN在禁帶寬度、擊穿電場(chǎng)研。
強(qiáng)度、飽和電子漂移速率、熱導(dǎo)率以及抗輻射的關(guān)鍵參數(shù)上都有明顯的優(yōu)勢(shì)，進(jìn)一步地滿足現(xiàn)代工業(yè)對(duì)高功率、高電壓以及高頻率的要求。