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存儲芯片迎爆發(fā)風(fēng)口!半導(dǎo)體核心環(huán)節(jié),龍頭強者恒強

作者:樂晴行業(yè)觀察 來源: 頭條號 37904/27

當(dāng)前新一輪人工智能浪潮爆發(fā),由AI服務(wù)器帶來存儲芯片新的增量需求,行業(yè)正迎來爆發(fā)風(fēng)口。全球存儲芯片市場空間大,為集成電路第二大細分市場。存儲芯片屬于通用型集成電路,在各類電子系統(tǒng)中發(fā)揮著重要的信息存儲功能,市場規(guī)模占整個行業(yè)市場規(guī)模比重達3

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當(dāng)前新一輪人工智能浪潮爆發(fā),由AI服務(wù)器帶來存儲芯片新的增量需求,行業(yè)正迎來爆發(fā)風(fēng)口。

全球存儲芯片市場空間大,為集成電路第二大細分市場。存儲芯片屬于通用型集成電路,在各類電子系統(tǒng)中發(fā)揮著重要的信息存儲功能,市場規(guī)模占整個行業(yè)市場規(guī)模比重達35.05%。

隨著人工智能、大數(shù)據(jù)、云計算、智能制造、數(shù)字經(jīng)濟等新領(lǐng)域發(fā)展,存儲芯片的需求也在穩(wěn)步增長,市場空間持續(xù)擴容。

隨著下游應(yīng)用領(lǐng)域的復(fù)蘇及芯片漲價因素影響,ICInsights預(yù)測,2023年全球存儲芯片的市場規(guī)模將達到2196億美元。#半導(dǎo)體#

存儲芯片行業(yè)概覽

存儲芯片,又稱為存儲器,是指利用磁性材料或半導(dǎo)體等材料作為介質(zhì)進行信息存儲的器件。

半導(dǎo)體存儲器利用半導(dǎo)體介質(zhì)貯存電荷以實現(xiàn)信息存儲,存儲與讀取過程體現(xiàn)為電荷的貯存或釋放。

半導(dǎo)體存儲是集成電路的重要分支,被廣泛應(yīng)用于內(nèi)存、U盤、消費電子、智能終端、固態(tài)存儲硬盤等領(lǐng)域,是應(yīng)用面最廣、市場比例最高的集成電路基礎(chǔ)性產(chǎn)品之一。#芯片#

存儲芯片的種類繁多,不同技術(shù)原理下催生出不同的產(chǎn)品,具有各自的特點和適用領(lǐng)域。

按照信息保存的角度來分類,可以分為易失性存儲器(Volatile Memory)和非易失性存儲器(Non-volatile Memory)。

易失性存儲芯片常見的有DRAM和SRAM;非易失性存儲芯片包括Flash(閃存)和ROM(只讀存儲器),其中閃存芯片又分NAND Flash和NOR Flash兩種。

NAND Flash容量大,主要用于大容量數(shù)據(jù)存儲,NOR Flash則容量較小。

ChatGPT開啟了AI大浪潮時代,各大廠商相繼開發(fā)并推出大模型產(chǎn)品,大模型中大量的數(shù)據(jù)集傳輸和儲存對存力提出了更高的要求。

AI服務(wù)器對DRAM和NAND均有更高的需求,AI有望成為存儲需求長期增長的強勁驅(qū)動力。

在AI服務(wù)器中應(yīng)用的存儲芯片主要包括:高帶寬存儲器(HBM)、DRAM和SSD,針對AI服務(wù)器的工作場景需要提供更大的容量、更高的性能、更低的延遲和更高的響應(yīng)速度。根據(jù)美光測算,AI服務(wù)器中DRAM數(shù)量是傳統(tǒng)服務(wù)器的8倍,NAND是傳統(tǒng)的3倍。#4月財經(jīng)新勢力#


存儲芯片市場格局

存儲芯片廠商的資本開支增速與市場規(guī)模增速有較強的相關(guān)性,并且當(dāng)資本開支大幅下降時,存儲市場將逐漸恢復(fù)增長。

從全球存儲芯片龍頭公司2023年的資本開支計劃來看,除三星保持逆周期投資的策略,與2022年的資本開支持平外,其他幾大家均宣布下調(diào)2023年資本開支計劃,且下降幅度較大,我們預(yù)計市場供需將逐漸修復(fù)。

除三星外各大存儲廠商紛紛下調(diào)2023資本開支計劃:

目前全球存儲芯片市場基本被海外市場占據(jù),以NAND Flash為例,據(jù)TrendForce最新數(shù)據(jù),韓日美的五家頭部廠商合計市場份額高達94.4%。

存儲芯片細分市場市占率情況(2020年):競爭格局相對穩(wěn)定(單位:%):

資料來源:trendforce

DRAM細分領(lǐng)域,市場供應(yīng)主要集中在三星、SK海力士和美光,三大廠商市場占有率分別為43%、29%和23%,合計占據(jù)約95%的市場。

國內(nèi)DRAM晶圓廠商主要為合肥長鑫,目前尚處于起步階段。

NAND Flash細分領(lǐng)域,全球具備NAND Flash 晶圓生產(chǎn)能力的主要有三星、鎧俠、西部數(shù)據(jù)、美光、SK 海力士、英特爾等企業(yè),上述六大晶圓廠占據(jù)了99%的市場份額。

國產(chǎn)廠商長江存儲處于起步狀態(tài),正在市場份額與技術(shù)上奮起直追。

我國雖然是全球最主要的存儲芯片消費市場,但由于產(chǎn)業(yè)起步較晚,市場占有率仍相對較低。

全球NOR Flash領(lǐng)域海外壟斷程度最低,目前中小容量存儲芯片供應(yīng)商主要為中國臺灣和大陸廠商包括華邦電子、旺宏電子、兆易創(chuàng)新等企業(yè),市占率前三,合計占據(jù)63%份額,其中兆易創(chuàng)新位列NOR Flash市場前三。

近年來我國廠商在部分領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破,逐步縮小與國外原廠的差距,聚辰股份在EEPROM芯片領(lǐng)域市占率全球第三,北京君正主攻車載SRAM/DRAM、東芯股份(SCL NANDR/DRAM)、普冉股份(NOR/EEPROM)、恒爍股份(NOR)。

存儲芯片市場規(guī)模巨大,但整個市場呈現(xiàn)分化現(xiàn)象,三星電子、海力士、美光科技、鎧俠等企業(yè)提供全面的存儲產(chǎn)品,近年來專注研發(fā)大容量、高性能存儲芯片,不斷推進先進存儲技術(shù)并憑借技術(shù)優(yōu)勢獲取較高市場份額。

行業(yè)其他企業(yè)由于各家處于的發(fā)展階段不同,在以領(lǐng)先企業(yè)為目標進行技術(shù)趕超的同時,結(jié)合自身技術(shù)特點和市場需求,專注于成熟產(chǎn)品的細分市場并實現(xiàn)填補和替代效應(yīng),與行業(yè)領(lǐng)先企業(yè)形成差異化競爭,迎來了新的發(fā)展機遇。

整體來看,存儲芯片全球頭部效應(yīng)顯著,中小容量細分市場帶來機遇。未來隨著國產(chǎn)化需求的不斷提高,國內(nèi)廠商有望迎來良好的發(fā)展契機。

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