102304/10
近期，中國網(wǎng)信網(wǎng)發(fā)文稱，為保障關鍵信息基礎設施供應鏈安全，防范產品問題隱患造成網(wǎng)絡安全風險，維護國家安全，依據(jù)《中華人民共和國國家安全法》《中華人民共和國網(wǎng)絡安全法》，網(wǎng)絡安全審查辦公室按照《網(wǎng)絡安全審查辦法》，對美光公司（Micron）在華銷售的產品實施網(wǎng)絡安全審查。目前，美光在全球DRAM/NANDFlash市場分別占據(jù)25%和12%的份額，在車用存儲市場占比超40%份額。值得注意的是，此前國內存儲龍頭廠商長江存儲和長鑫存儲都已經被列入美國的 " 實體清單 "，去年美國的出口管制中還特別提及了存儲芯片，對相關 DRAM 存儲芯片、NAND 閃存芯片進行管控。此次美光被安全審查，有望極大利好國產存儲芯片公司。
隨著下游應用領域的復蘇，汽車、電信和基礎設施帶動需求，疊加人工智能算力的提升和ChatGPT催化智能化應用，存儲芯片國產替代有望迎來新一輪機遇。Yole數(shù)據(jù)預測，2021-2027年全球存儲芯片行業(yè)市場規(guī)模的復合增長率為8%，并有望在2027年達到2600億美元以上。
存儲芯片行業(yè)概覽存儲芯片為半導體核心元器件，按性質可劃分為RAM（隨機存儲器，包括DRAM、SRAM、新型RAM等）、ROM（只讀存儲器）、Flash（閃存，包括NAND Flash、NOR Flash等）。存儲芯片分類及主要市場格局：
儲芯片按照斷電后數(shù)據(jù)是否丟失，可分為易失性存儲芯片和非易失性存儲芯片。易失性存儲芯片常見的是DRAM，非易失性存儲芯片常見的是NAND閃存芯片和NOR閃存芯片。DRAM和NAND Flash為存儲器行業(yè)的主流產品。根據(jù)IC Insights的數(shù)據(jù)，2021年DRAM在整個存儲市場的占比約為56%，閃存NAND的占比約為43%，其中NAND閃存為41%，NOR閃存為2%，其他存儲芯片（EEPROM、EPROM、ROM、SRAM）將會緩慢成長，但大幅搶占市場的可能性較小。
資料來源：方正證券
資料來源：閃存市場市場空間上看，隨著人工智能、云計算、大數(shù)據(jù)、AIoT、物聯(lián)網(wǎng)等新興應用加速發(fā)展，未來市場對DRAM存儲器需求量預計仍將保持增長勢頭。從下游供給領域來看，2023年各大存儲廠商DRAM供給位元情況，服務器有望首次超過手機DRAM業(yè)務成為供給位元的第一大產出，服務器占比38%，手機占比37%。DRAM產業(yè)鏈結構：
在競爭格局上，DRAM主流市場被三大龍頭三星電子、SK海力士和美光科技壟斷，形成較高的技術、品牌及市場壁壘。中國大陸代表企業(yè)包括長鑫存儲、福建晉華、北京矽成（北京君正全資收購）、紫光國微等。中國臺灣廠商南亞科技、華邦電子、晶豪科技等也在該領域嶄露頭角。
長鑫存儲主要從事動態(tài)隨機存取存儲芯片(DRAM)的設計、研發(fā)、生產和銷售，目前已建成12英寸晶圓廠并投產。目前長鑫技術節(jié)點集中在19-17nm，技術節(jié)點與頭部相差兩代以上。2022年10月美國商務部產業(yè)安全局禁止?jié)M足以下條件的先進制程設備：零部件、元器件、軟件技術的出口：用于生產16/14nm以下制程的非平面晶體管結構（即FinFET和GAAFET）邏輯芯片、生產128層或以上NAND以及生產18nm以下制程的DRAM。限制18nm將影響后續(xù)長鑫存儲二期18nm以下的擴產計劃。紫光國微存儲器芯片業(yè)務由參股子公司西安紫光國芯半導體有限公司承擔，存儲器芯片產品包括DRAM KGD、DRAM芯片、DRAM模組和2D SLC NAND Flash芯片等。值得注意的是，三星、美光、SK 海力士、西部數(shù)據(jù)都宣布將于 2023 年大幅度削減資本開支甚至減產。由于資本開支的減少以及產能的削減，全球主要廠商新廠房建設或新產能的擴產普遍有所延后。三星P3L工廠的建設完畢，預計23Q1開始量產DRAM，未來三星或將在P3L持續(xù)擴充產能；美光在中國臺灣取得新廠房土地后暫無新的進展；海力士有40-50%的DRAM產能在無錫，這部分產能未來引進EUV轉進先進制程的可能性較??；南亞和華邦延后了原本的新廠房建設計劃。DRAM廠商擴產和新建計劃延后：
資料來源：集邦咨詢
中國大陸代表企業(yè)主要為長江存儲。長江存儲國家存儲器基地項目一期于2016年底開工建設，32層、64層存儲芯片產品已實現(xiàn)穩(wěn)定量產，并成功研制出目前業(yè)內已知型號產品中最高單位面積存儲密度、最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND 閃存芯片容量的128層閃存芯片，2021年長江存儲一期項目滿產，當前長江存儲在武漢晶圓廠產能達10萬片晶圓/月，并計劃在武漢建設第二座晶圓廠擴產至30萬片晶圓/月，有助于進一步擴大市場份額，加速儲存芯片國產替代。
展望2023年各大存儲廠商NAND產能情況，三星、YMTC將增產，鎧俠/WDC、海力士和美光都將減產，同時國內NAND 大廠長江存儲受困于美國制裁，也將減產128層以上NAND Flash產品。而三星激進擴產的原因主要在于NAND芯片競爭對手較多，部分競爭對手如鎧俠與WDC的聯(lián)盟產品組合單一，專注于NAND業(yè)務，缺乏DRAM的產品組合來保護營業(yè)利潤，因此總體抗風險能力略遜于其他同時專注于DRAM和NAND的存儲廠商。NAND Flash各供應商技術路線：
資料來源：TrendForce
整體來看，如前文所述，存儲行業(yè)的核心看點在于DRAM、NANDFlash和NORFlash。行業(yè)其他企業(yè)由于各家處于的發(fā)展階段不同，在以領先企業(yè)為目標進行技術趕超的同時，結合自身技術特點和市場需求，專注于成熟產品的細分市場并實現(xiàn)填補和替代效應，與行業(yè)領先企業(yè)形成差異化競爭，迎來了新的發(fā)展機遇。國產存儲芯片布局廠商還包括東芯股份（純利基型存儲，SLC NAND占比高）、普冉股份（利基型NorFlash）、瀾起科技（DDR5接口芯片）、聚辰股份、武漢新芯等。存儲芯片企業(yè)競爭格局：
未來存儲芯片將在云計算、AIoT、智能汽車等下游行業(yè)驅動下迎來新一輪成長期。得益于國內電子產業(yè)的高速發(fā)展及相關公司的技術突破，我國在全球存儲芯片領域的市場地位有望提升，國內相關廠商具有較大替代空間。
隨著下游應用領域的復蘇，汽車、電信和基礎設施帶動需求，疊加人工智能算力的提升和ChatGPT催化智能化應用，存儲芯片國產替代有望迎來新一輪機遇。Yole數(shù)據(jù)預測，2021-2027年全球存儲芯片行業(yè)市場規(guī)模的復合增長率為8%，并有望在2027年達到2600億美元以上。
存儲芯片行業(yè)概覽存儲芯片為半導體核心元器件，按性質可劃分為RAM（隨機存儲器，包括DRAM、SRAM、新型RAM等）、ROM（只讀存儲器）、Flash（閃存，包括NAND Flash、NOR Flash等）。存儲芯片分類及主要市場格局：儲芯片按照斷電后數(shù)據(jù)是否丟失，可分為易失性存儲芯片和非易失性存儲芯片。易失性存儲芯片常見的是DRAM，非易失性存儲芯片常見的是NAND閃存芯片和NOR閃存芯片。DRAM和NAND Flash為存儲器行業(yè)的主流產品。根據(jù)IC Insights的數(shù)據(jù)，2021年DRAM在整個存儲市場的占比約為56%，閃存NAND的占比約為43%，其中NAND閃存為41%，NOR閃存為2%，其他存儲芯片（EEPROM、EPROM、ROM、SRAM）將會緩慢成長，但大幅搶占市場的可能性較小。資料來源：方正證券01 DRAM
DRAM是動態(tài)隨機存取存儲器，容量高、功耗低、成本低，需要持續(xù)充電。主要用于移動終端、服務器等設備內存。技術路徑上看，DRAM最新標準迭代至DDR5，10nm以下制程待突破。Omdia預計2024年DDR5市占率將提升至43%。2020-2022年DRAM各供應商技術路線圖：資料來源：閃存市場市場空間上看，隨著人工智能、云計算、大數(shù)據(jù)、AIoT、物聯(lián)網(wǎng)等新興應用加速發(fā)展，未來市場對DRAM存儲器需求量預計仍將保持增長勢頭。從下游供給領域來看，2023年各大存儲廠商DRAM供給位元情況，服務器有望首次超過手機DRAM業(yè)務成為供給位元的第一大產出，服務器占比38%，手機占比37%。DRAM產業(yè)鏈結構：在競爭格局上，DRAM主流市場被三大龍頭三星電子、SK海力士和美光科技壟斷，形成較高的技術、品牌及市場壁壘。中國大陸代表企業(yè)包括長鑫存儲、福建晉華、北京矽成（北京君正全資收購）、紫光國微等。中國臺灣廠商南亞科技、華邦電子、晶豪科技等也在該領域嶄露頭角。長鑫存儲主要從事動態(tài)隨機存取存儲芯片(DRAM)的設計、研發(fā)、生產和銷售，目前已建成12英寸晶圓廠并投產。目前長鑫技術節(jié)點集中在19-17nm，技術節(jié)點與頭部相差兩代以上。2022年10月美國商務部產業(yè)安全局禁止?jié)M足以下條件的先進制程設備：零部件、元器件、軟件技術的出口：用于生產16/14nm以下制程的非平面晶體管結構（即FinFET和GAAFET）邏輯芯片、生產128層或以上NAND以及生產18nm以下制程的DRAM。限制18nm將影響后續(xù)長鑫存儲二期18nm以下的擴產計劃。紫光國微存儲器芯片業(yè)務由參股子公司西安紫光國芯半導體有限公司承擔，存儲器芯片產品包括DRAM KGD、DRAM芯片、DRAM模組和2D SLC NAND Flash芯片等。值得注意的是，三星、美光、SK 海力士、西部數(shù)據(jù)都宣布將于 2023 年大幅度削減資本開支甚至減產。由于資本開支的減少以及產能的削減，全球主要廠商新廠房建設或新產能的擴產普遍有所延后。三星P3L工廠的建設完畢，預計23Q1開始量產DRAM，未來三星或將在P3L持續(xù)擴充產能；美光在中國臺灣取得新廠房土地后暫無新的進展；海力士有40-50%的DRAM產能在無錫，這部分產能未來引進EUV轉進先進制程的可能性較??；南亞和華邦延后了原本的新廠房建設計劃。DRAM廠商擴產和新建計劃延后：資料來源：集邦咨詢02 NAND Flash
NANDFlash適用于大容量數(shù)據(jù)的存儲（通常在1Gb-1Tb），主要由智能手機、服務器等容量和規(guī)格升級推動。NAND Flash競爭格局上看，三星、鎧俠引領，和西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士、英特爾六大原廠組成的穩(wěn)定市場格局，六者合計占比超過95%。中國大陸代表企業(yè)主要為長江存儲。長江存儲國家存儲器基地項目一期于2016年底開工建設，32層、64層存儲芯片產品已實現(xiàn)穩(wěn)定量產，并成功研制出目前業(yè)內已知型號產品中最高單位面積存儲密度、最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND 閃存芯片容量的128層閃存芯片，2021年長江存儲一期項目滿產，當前長江存儲在武漢晶圓廠產能達10萬片晶圓/月，并計劃在武漢建設第二座晶圓廠擴產至30萬片晶圓/月，有助于進一步擴大市場份額，加速儲存芯片國產替代。展望2023年各大存儲廠商NAND產能情況，三星、YMTC將增產，鎧俠/WDC、海力士和美光都將減產，同時國內NAND 大廠長江存儲受困于美國制裁，也將減產128層以上NAND Flash產品。而三星激進擴產的原因主要在于NAND芯片競爭對手較多，部分競爭對手如鎧俠與WDC的聯(lián)盟產品組合單一，專注于NAND業(yè)務，缺乏DRAM的產品組合來保護營業(yè)利潤，因此總體抗風險能力略遜于其他同時專注于DRAM和NAND的存儲廠商。NAND Flash各供應商技術路線：資料來源：TrendForce03 NOR Flash
NOR Flash是一種非易失性存儲器，基本存儲單元采用并聯(lián)形式，可實現(xiàn)片上執(zhí)行。廣泛應用于需要存儲系統(tǒng)程序代碼的電子設備，是除DRAM和NAND Flash之外市場規(guī)模最大的存儲芯片。競爭格局上看，根據(jù)CINNO Research，近年來美國廠商賽普拉斯、美光等逐步退出NOR Flash市場，中國大陸和中國臺灣廠商逐步承接產能，占據(jù)主導地位。頭部企業(yè)為華邦、旺宏、兆易創(chuàng)新等，中國大陸代表企業(yè)主要為兆易創(chuàng)新。整體來看，如前文所述，存儲行業(yè)的核心看點在于DRAM、NANDFlash和NORFlash。行業(yè)其他企業(yè)由于各家處于的發(fā)展階段不同，在以領先企業(yè)為目標進行技術趕超的同時，結合自身技術特點和市場需求，專注于成熟產品的細分市場并實現(xiàn)填補和替代效應，與行業(yè)領先企業(yè)形成差異化競爭，迎來了新的發(fā)展機遇。國產存儲芯片布局廠商還包括東芯股份（純利基型存儲，SLC NAND占比高）、普冉股份（利基型NorFlash）、瀾起科技（DDR5接口芯片）、聚辰股份、武漢新芯等。存儲芯片企業(yè)競爭格局：未來存儲芯片將在云計算、AIoT、智能汽車等下游行業(yè)驅動下迎來新一輪成長期。得益于國內電子產業(yè)的高速發(fā)展及相關公司的技術突破，我國在全球存儲芯片領域的市場地位有望提升，國內相關廠商具有較大替代空間。
