在“芯片規(guī)則”實施后，中企全速啟動自主化產業(yè)體系的搭建，巔峰時期全球每新增20家芯片企業(yè)，其中就有19家來自國內，然而2022年“倒閉”的相關企業(yè)，卻突破了5746家，

風風火火的背后，同樣也隱藏著諸多“隱患”，一切還要歸結于芯片的全球化屬性，且基于硅基材料打造的電子芯片，真正算起來是美國人發(fā)明的，因此在一些基礎技術、核心專利上，大部分源自于美企。

即便是壟斷全球市場的臺積電、ASML、三星等等企業(yè)，也無法擺脫含美的技術，才一步步淪為了拜登團隊的“棋子”，而老美主導成立的“芯片四方聯盟”、“半導體設備三方協(xié)議”等等，皆在針對中國半導體產業(yè)發(fā)展，試圖將工藝鎖死在14nm上。

因此中國半導體要想突出重圍，就必須尋找彎道超車的途徑，目前中企各方面的技術均有涉及，唯有高端的EUV光刻機沒有一點頭緒，作為造芯的核心設備，是能否突破14nm以下工藝量產的關鍵。

就在近日應用材料公司推出了“電子束測量設備”，可用于光刻技術對芯片的高精度檢測，實現對于光刻工藝成本的降低，且多家企業(yè)開始涉足，目前已經被證實有望替代EUV，是否意味著中國的機會來了呢？

EUV將被電子束替代？

在光刻機自由出貨還沒被限制之前，所有的半導體廠商對ASML是沒有想法的，對其的重要性也忽略不計，直到“瓦森納條約”的制定，這才讓各大企業(yè)開始“慌神”，隨后就逐步演變成了涵蓋DUV光刻機的“三方協(xié)議”，日本、荷蘭妥協(xié)了跟進老美的新規(guī)。

這也直接引發(fā)了全球的不滿，而ASML也因此飽受牽連，各個國家和地區(qū)紛紛啟動芯片自主化產業(yè)搭建，而首先要突破的就是對于光刻機的依賴，而電子束技術，就在這樣的“危機感”之下加速搭建，就連光學鏡頭蔡司、ASML本身也推出了相關產品。

在芯片制造層面，電子束硅片直寫（EBL）技術，已經被證實可用于先進制程制造，且有望替代EUV光刻技術，同樣對光學鏡頭的牽制，也將起到重要的作用。

根據業(yè)內專家莫大康的介紹，目前采用光學鏡頭的EUV光刻機極限波長為13.5nm，而采用100KeV電子束之后，波長可以縮減到0.004nm，這樣一對比起來，就知道優(yōu)勢有多明顯了，是有望打破硅基芯片摩爾定律極限的。

蔡司公司是EUV光刻機唯一的光學鏡頭供應商，多項頂尖且復雜的技術需求，才導致EUV光刻機產量的不足，而電子束采用的是電子刻蝕，并非采用光源，因此是不需要光學鏡頭的。

因此整體而言，搭載電子束技術的測量設備及檢測設備，不僅能夠有效的控制成本，還能有效的保證芯片的良品率，同時在精準度上也將大大提升，而詳細的內容在《中國電子報》上就可以獲取。

根據東方晶源首席技術官俞宗強介紹，傳統(tǒng)的電子芯片制造，需要電路圖提前進行“掩膜”，然后通過設備光刻成型，若該款電路圖出現問題，整個批次就都廢了，而電子束則利用的是“點掃描”技術，可以在同一個硅片上刻錄不同的芯片，具備有靈活且低成本的優(yōu)勢。

中國能否利用電子束技術反超？

根據檢驗數據顯示，光學檢測的波長，一般維持在200nm-400nm之間，換算下來只能檢測20nm以上的芯片缺陷，相當于如今的5nm、3nm芯片，基本就算是“盲檢”了，這才導致在性能提升上極其有限。

而電子束是可以支持20nm以下容易的，能夠精確的捕捉到細小的缺陷，多位業(yè)內專家也表態(tài)，要想打破摩爾定律極限對性能的影響，后續(xù)無論是DUV還是EUV光刻機，都將搭配電子光束設備。

最新的電子光束測量工具，已經被證實可用于10nm及更低的節(jié)點的缺陷檢測，下一代的技術升級，將能夠滿足5nm以下的芯片生產需求，但電子束在芯片制造中，同樣也存在致命的缺陷，那就是曝光速度太“慢”，這也是沒能大規(guī)模采用的原因。

速度對比起來，EUV曝光至少是電子束的20倍，因此電子束刻蝕技術，目前只能用于實驗室小范圍量產，雖然應用材料公司最新發(fā)布的設備，在電子束數量上突破了51束，但相比于EUV光刻機還是相差甚遠。

因此如果中國半導體想要利用這項技術趕超歐美，還是需要下點苦功夫的，但對于小范圍的需求，或許是可以擺脫EUV光刻設備依賴的，就看后續(xù)技術的走向如何了。

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