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全球半導(dǎo)體市場格局，美國提供技術(shù)、荷蘭提供設(shè)備、日本提供原材料、中國和韓國生產(chǎn)制造，這是整個半導(dǎo)體行業(yè)經(jīng)歷多次遷移形成的結(jié)果。然而全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局，依然還在不斷發(fā)生著巨大改變，經(jīng)濟(jì)學(xué)家認(rèn)為現(xiàn)在正在經(jīng)歷第三次產(chǎn)能轉(zhuǎn)移，行業(yè)需求中心和產(chǎn)能中心也逐步向中國地區(qū)遷移，不僅是歐美半導(dǎo)體變得徹底沒戲，就連韓國媒體也聲稱韓國半導(dǎo)體行業(yè)地位岌岌可危，反而是中國半導(dǎo)體技術(shù)正在快速增長。
韓媒認(rèn)為韓國半導(dǎo)體地位岌岌可危，不僅是來自全球半導(dǎo)體市場行情不好，特別是中國等海外半導(dǎo)體巨頭快速崛起，從而進(jìn)一步擠壓韓國半導(dǎo)體市場份額。拋開其它技術(shù)領(lǐng)域不談，韓媒認(rèn)為單單看中國大陸長江存儲的發(fā)展，就能從中看出其中端倪，去年11月，三星電子量產(chǎn)236層的NAND閃存，隨后長江存儲正式宣布200層以上的NAND閃存同時量產(chǎn)成功，這也意味著中韓半導(dǎo)體之間的差距越來越小，要知道長江存儲NAND閃存業(yè)務(wù)起步比三星電子更晚，所以韓媒認(rèn)為很快中國就會超過韓國半導(dǎo)體。
韓媒認(rèn)為不僅僅是來自中國的壓力，就連美國半導(dǎo)體也在動搖韓國半導(dǎo)體的地位，去年7月，美國半導(dǎo)體企業(yè)美光首次成功生產(chǎn)了232層NAND閃存，11月更是首次推出10納米級第五代DRAM芯片。以前三星電子在DRAM領(lǐng)域排名第一，雖然早前有日本半導(dǎo)體與其競爭，日本更是通過打價格戰(zhàn)占據(jù)更多市場份額，但是后來由于受美國制裁，日本半導(dǎo)體一蹶不振，韓國半導(dǎo)體在DRAM領(lǐng)域也迅速崛起，如今美國半導(dǎo)體不斷發(fā)力，特別是美光擁有了諸多專利，韓國專家認(rèn)為這將會動搖韓國半導(dǎo)體企業(yè)的根基，現(xiàn)在美光的專利數(shù)不僅遠(yuǎn)超三星和SK海力士的2倍左右，美光在3D DRAM領(lǐng)域更是占據(jù)更大競爭優(yōu)勢。
前有中國這頭猛虎，后有美國這頭野狼，韓媒認(rèn)為韓半導(dǎo)體地位岌岌可危，特別是中國半導(dǎo)體正在快速增長，讓韓國半導(dǎo)體企業(yè)感受到巨大壓力。據(jù)權(quán)威數(shù)據(jù)顯示，全球半導(dǎo)體行業(yè)增長最快的年份就是2021年，也正是這一年，全球半導(dǎo)體快速成長的20家半導(dǎo)體企業(yè)，其中有19家就是來自中國的半導(dǎo)體企業(yè)，這幾年中國半導(dǎo)體快速發(fā)展，雖然在某些領(lǐng)域還被歐美卡住脖子，但是在成熟工藝方面卻已經(jīng)是世界領(lǐng)先，韓媒擔(dān)憂一旦中國進(jìn)軍高端芯片領(lǐng)域，那么韓國半導(dǎo)體企業(yè)的發(fā)展將會變得異常艱難。
對此，不少韓國專家都給出了相關(guān)建議，為了防止被海外企業(yè)超越，應(yīng)該進(jìn)一步加快技術(shù)研發(fā)速度，在美光半導(dǎo)體和長江存儲積極進(jìn)軍市場的背景環(huán)境下，韓國企業(yè)應(yīng)該提前執(zhí)行技術(shù)開發(fā)計劃，也就是說韓專家認(rèn)為，只有提前掌握更先進(jìn)的技術(shù)，才能避免外企進(jìn)一步擠壓韓國半導(dǎo)體市場份額，據(jù)韓國媒體報道，韓國公司占全球DRAM市場75%市場份額，其中三星企業(yè)更是占據(jù)了45%的市場份額，如果韓國公司不能拿出更先進(jìn)的技術(shù)，那么早晚都會被長江存儲超越。
確實如此，我認(rèn)為韓媒的擔(dān)憂也不無道理，因為中國不僅僅有長江存儲正在快速成長，不僅僅是專注于3D NAND閃存及存儲器解決方案，其實中國在其它技術(shù)方面也有所突破。比如在設(shè)備方面，中國已經(jīng)搭建光子芯片生產(chǎn)線，這是不需要光刻機(jī)設(shè)備就能生產(chǎn)芯片的技術(shù)，那么歐美自然也就無法在設(shè)備方面卡住我們脖子。在原材料方面，中國掌握了全球75%的鉍資源，這是由臺積電和麻省理工學(xué)院，共同研究出的下一代半導(dǎo)體材料，剛剛好全球幾乎大部分資源都在中國。在制造方面，中國擁有連美國都不具備的完整芯片產(chǎn)業(yè)鏈，說白了，中國這幾年不僅正在快速成長，更是已經(jīng)有了拿下全球半導(dǎo)體的根基。我認(rèn)為這都是命，韓國半導(dǎo)體應(yīng)該認(rèn)清現(xiàn)實。對此，您怎么看？歡迎在評論區(qū)留言討論。
韓媒認(rèn)為韓國半導(dǎo)體地位岌岌可危，不僅是來自全球半導(dǎo)體市場行情不好，特別是中國等海外半導(dǎo)體巨頭快速崛起，從而進(jìn)一步擠壓韓國半導(dǎo)體市場份額。拋開其它技術(shù)領(lǐng)域不談，韓媒認(rèn)為單單看中國大陸長江存儲的發(fā)展，就能從中看出其中端倪，去年11月，三星電子量產(chǎn)236層的NAND閃存，隨后長江存儲正式宣布200層以上的NAND閃存同時量產(chǎn)成功，這也意味著中韓半導(dǎo)體之間的差距越來越小，要知道長江存儲NAND閃存業(yè)務(wù)起步比三星電子更晚，所以韓媒認(rèn)為很快中國就會超過韓國半導(dǎo)體。
韓媒認(rèn)為不僅僅是來自中國的壓力，就連美國半導(dǎo)體也在動搖韓國半導(dǎo)體的地位，去年7月，美國半導(dǎo)體企業(yè)美光首次成功生產(chǎn)了232層NAND閃存，11月更是首次推出10納米級第五代DRAM芯片。以前三星電子在DRAM領(lǐng)域排名第一，雖然早前有日本半導(dǎo)體與其競爭，日本更是通過打價格戰(zhàn)占據(jù)更多市場份額，但是后來由于受美國制裁，日本半導(dǎo)體一蹶不振，韓國半導(dǎo)體在DRAM領(lǐng)域也迅速崛起，如今美國半導(dǎo)體不斷發(fā)力，特別是美光擁有了諸多專利，韓國專家認(rèn)為這將會動搖韓國半導(dǎo)體企業(yè)的根基，現(xiàn)在美光的專利數(shù)不僅遠(yuǎn)超三星和SK海力士的2倍左右，美光在3D DRAM領(lǐng)域更是占據(jù)更大競爭優(yōu)勢。
前有中國這頭猛虎，后有美國這頭野狼，韓媒認(rèn)為韓半導(dǎo)體地位岌岌可危，特別是中國半導(dǎo)體正在快速增長，讓韓國半導(dǎo)體企業(yè)感受到巨大壓力。據(jù)權(quán)威數(shù)據(jù)顯示，全球半導(dǎo)體行業(yè)增長最快的年份就是2021年，也正是這一年，全球半導(dǎo)體快速成長的20家半導(dǎo)體企業(yè)，其中有19家就是來自中國的半導(dǎo)體企業(yè)，這幾年中國半導(dǎo)體快速發(fā)展，雖然在某些領(lǐng)域還被歐美卡住脖子，但是在成熟工藝方面卻已經(jīng)是世界領(lǐng)先，韓媒擔(dān)憂一旦中國進(jìn)軍高端芯片領(lǐng)域，那么韓國半導(dǎo)體企業(yè)的發(fā)展將會變得異常艱難。
對此，不少韓國專家都給出了相關(guān)建議，為了防止被海外企業(yè)超越，應(yīng)該進(jìn)一步加快技術(shù)研發(fā)速度，在美光半導(dǎo)體和長江存儲積極進(jìn)軍市場的背景環(huán)境下，韓國企業(yè)應(yīng)該提前執(zhí)行技術(shù)開發(fā)計劃，也就是說韓專家認(rèn)為，只有提前掌握更先進(jìn)的技術(shù)，才能避免外企進(jìn)一步擠壓韓國半導(dǎo)體市場份額，據(jù)韓國媒體報道，韓國公司占全球DRAM市場75%市場份額，其中三星企業(yè)更是占據(jù)了45%的市場份額，如果韓國公司不能拿出更先進(jìn)的技術(shù)，那么早晚都會被長江存儲超越。
確實如此，我認(rèn)為韓媒的擔(dān)憂也不無道理，因為中國不僅僅有長江存儲正在快速成長，不僅僅是專注于3D NAND閃存及存儲器解決方案，其實中國在其它技術(shù)方面也有所突破。比如在設(shè)備方面，中國已經(jīng)搭建光子芯片生產(chǎn)線，這是不需要光刻機(jī)設(shè)備就能生產(chǎn)芯片的技術(shù)，那么歐美自然也就無法在設(shè)備方面卡住我們脖子。在原材料方面，中國掌握了全球75%的鉍資源，這是由臺積電和麻省理工學(xué)院，共同研究出的下一代半導(dǎo)體材料，剛剛好全球幾乎大部分資源都在中國。在制造方面，中國擁有連美國都不具備的完整芯片產(chǎn)業(yè)鏈，說白了，中國這幾年不僅正在快速成長，更是已經(jīng)有了拿下全球半導(dǎo)體的根基。我認(rèn)為這都是命，韓國半導(dǎo)體應(yīng)該認(rèn)清現(xiàn)實。對此，您怎么看？歡迎在評論區(qū)留言討論。
