新材料作為高新技術(shù)的先導(dǎo)和基石，是“發(fā)明之母”和“產(chǎn)業(yè)糧食”，更是國(guó)家科技水平前瞻性指標(biāo)。目前我國(guó)新材料產(chǎn)業(yè)規(guī)模、技術(shù)水平、發(fā)展機(jī)制等方面與國(guó)外仍存在較大差距。

我國(guó)新材料的進(jìn)口率高達(dá)86%，自給率僅14%；

化工新材料產(chǎn)業(yè)國(guó)內(nèi)保障能力只有50%；

用量較大的工程塑料和特種橡膠自給率僅30%；

高端高溫合金主要要依賴(lài)進(jìn)口；

……

新材料產(chǎn)業(yè)國(guó)產(chǎn)化需求迫切，具有技術(shù)優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代材料將獲得未來(lái)市場(chǎng)，進(jìn)口替代仍將是未來(lái)一段時(shí)間新材料投資的主要邏輯。

新材料在線?針對(duì)我國(guó)重點(diǎn)應(yīng)用領(lǐng)域急需的新材料產(chǎn)業(yè)情況進(jìn)行了研究與分析，整理了50+種高度依賴(lài)進(jìn)口的新材料清單：

表1 高度依賴(lài)進(jìn)口的新材料清單

Source：新材料在線?

半導(dǎo)體和顯示行業(yè)的核心材料、器件、設(shè)備幾乎全部依賴(lài)進(jìn)口。對(duì)于本土投資者、創(chuàng)業(yè)者來(lái)說(shuō)，這是一次鳳凰涅槃的巨大機(jī)會(huì)。數(shù)據(jù)顯示，半導(dǎo)體材料國(guó)產(chǎn)化率普遍偏低，進(jìn)口替代空間巨大。

表2 半導(dǎo)體材料國(guó)產(chǎn)化率情況

Source：公開(kāi)資料整理

以下為半導(dǎo)體及顯示行業(yè)10大高度依賴(lài)進(jìn)口的關(guān)鍵材料分析：

一

大硅片

Source：圖蟲(chóng)創(chuàng)意

硅片也稱(chēng)硅晶圓，是制造半導(dǎo)體芯片最重要的基本材料，其最主要的原料為單晶硅。硅片直徑越大，其所能刻制的集成電路則越多，芯片的成本也隨之降低。大尺寸硅片對(duì)技術(shù)的要求很高，良品率極低，企業(yè)進(jìn)入壁壘極高，全球大硅片市場(chǎng)形成寡頭壟斷的競(jìng)爭(zhēng)格局。

目前中國(guó)大陸自主生產(chǎn)的硅片以6英寸為主，產(chǎn)品主要應(yīng)用領(lǐng)域仍是光伏和低端分立器件制造，8英寸已實(shí)現(xiàn)小規(guī)模量產(chǎn)，而主流12英寸大尺寸集成電路級(jí)硅片研發(fā)和生產(chǎn)處于起步階段，僅有上海新昇和有研半導(dǎo)體能夠少量生產(chǎn)，嚴(yán)重依賴(lài)進(jìn)口。近年來(lái)，我國(guó)在大硅片國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程方面不斷加速，目前有上海新昇、金瑞泓、鄭州合晶等一批大硅片項(xiàng)目在建。

▉ 全球大硅片產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局 ▉

目前，全球硅片的供應(yīng)商主要有日本信越和SUMCO、中國(guó)臺(tái)灣環(huán)球晶圓、德國(guó)Silitronic以及韓國(guó)SK Siltron，這五大供應(yīng)商市場(chǎng)份額合計(jì)高達(dá)92%以上。而中國(guó)大陸廠商半導(dǎo)體硅片的生產(chǎn)制造能力較弱，在全球的競(jìng)爭(zhēng)力不足。

12英寸硅片市場(chǎng)方面，同半導(dǎo)體硅片的整體市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局基本保持一致，但信越、SUMCO、環(huán)球晶圓、Silitronic和SK Siltron這五大供應(yīng)商的市場(chǎng)份額更高，達(dá)到了98%。

表3 全球知名大硅片制造企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局

Source：公開(kāi)資料整理

▉ 國(guó)內(nèi)大硅片知名企業(yè)布局 ▉

表4 國(guó)內(nèi)硅片企業(yè)在建產(chǎn)能

Source：公開(kāi)資料整理

二

光刻膠

Source：新材料在線?

光刻膠是微電子技術(shù)中微細(xì)圖形加工的關(guān)鍵材料之一，其成本約占整個(gè)芯片制造工藝的30%，耗費(fèi)時(shí)間約占整個(gè)芯片制造工藝的40%-60%，是半導(dǎo)體制造中最核心的工藝。

目前國(guó)內(nèi)光刻膠自給率僅10%，主要集中于技術(shù)含量相對(duì)較低的PCB領(lǐng)域。6英寸硅片的g/i線光刻膠的自給率約為20%，8英寸硅片的KrF光刻膠的自給率不足5%，12寸硅片的ArF光刻膠目前尚無(wú)國(guó)內(nèi)企業(yè)可以大規(guī)模生產(chǎn)。

▉ 全球光刻膠產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局 ▉

表5 全球光刻膠知名企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局

Source：公開(kāi)資料整理

▉ 國(guó)內(nèi)光刻膠知名企業(yè) ▉

表6 光刻膠國(guó)內(nèi)化情況

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三

偏光片

Source：圖蟲(chóng)創(chuàng)意

偏光片是一種可以使天然光變成偏振光的光學(xué)元件，是制造液晶顯示屏的必備部件，主要由PVA膜、TAC膜、壓敏膠、離型膜和保護(hù)膜等復(fù)合而成。偏光片最核心的原材料是 PVA 膜和 TAC 膜，核心膜材 PVA 負(fù)責(zé)偏振作用，TAC 膜則起到對(duì)延伸的 PVA 膜的支撐和保護(hù)，二者約占總成本的 60%~70%。目前，兩種膜材的主要供應(yīng)商均為日韓企業(yè)。

▉ 全球偏光片產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局 ▉

表7 全球知名偏光片企業(yè)業(yè)務(wù)一覽

ource：公開(kāi)資料整理

▉ 國(guó)內(nèi)偏光片知名企業(yè) ▉

表8 國(guó)內(nèi)現(xiàn)有及建設(shè)中偏光片產(chǎn)能

Source：民生證券研究院

四

OLED發(fā)光材料

Source：圖蟲(chóng)創(chuàng)意

OLED材料主要包括兩部分：發(fā)光材料和基礎(chǔ)材料。OLED發(fā)光材料主要包括紅光主體／客體材料、綠光主體／客體材料、藍(lán)光主體／客體材料等，OLED顯示技術(shù)實(shí)現(xiàn)自發(fā)光的基礎(chǔ)。目前，OLED發(fā)光材料中的最核心發(fā)光材料具有較高的專(zhuān)利壁壘，主要被韓日德美企業(yè)所掌控，國(guó)內(nèi)企業(yè)主要從事OLED 中間體和單體粗品生產(chǎn)。

▉ 全球OLED發(fā)光材料產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局 ▉

表9 全球OLED發(fā)光材料主要代表廠商

Source：公開(kāi)資料整理

▉ 國(guó)內(nèi)OLED發(fā)光材料知名企業(yè) ▉

表10 國(guó)內(nèi)OLED廠商產(chǎn)品情況

Source：公開(kāi)資料整理

五

精細(xì)金屬掩模板

Source：新材料在線?

精細(xì)金屬掩膜版（Fine metal Mask，簡(jiǎn)稱(chēng)FMM）是OLED蒸鍍工藝中的消耗性核心零部件，主要材料是金屬或金屬+樹(shù)脂。其主要作用是在OLED生產(chǎn)過(guò)程中沉積RGB有機(jī)物質(zhì)并形成像素，在需要的地方準(zhǔn)確和精細(xì)地沉積有機(jī)物質(zhì)，提高分辨率和良率。

如果需要制造高精度FMM，就需要更高級(jí)的INVAR合金（Super INVAR alloy）。現(xiàn)在市面上唯一能提供滿(mǎn)足FMM使用要求的Super INVAR alloy合金廠商是Hitachi metals。目前國(guó)內(nèi)FMM材料處于初始研發(fā)階段，并不具備量產(chǎn)條件。

表11 FMM產(chǎn)業(yè)鏈競(jìng)爭(zhēng)格局

Source：圖蟲(chóng)創(chuàng)意

六

濕電子化學(xué)品

Source：圖蟲(chóng)創(chuàng)意

濕電子化學(xué)品指為微電子、光電子濕法工藝(主要包括濕法刻蝕、濕法清洗)制程中使用的各種電子化工材料，是集成電路工藝制程中的關(guān)鍵性基礎(chǔ)化工材料。不同線寬的集成電路制程工藝中必須使用不同規(guī)格的超凈高純?cè)噭┻M(jìn)行蝕刻和清洗，其關(guān)鍵生產(chǎn)技術(shù)包括混配技術(shù)、分離技術(shù)、純化技術(shù)以及與其生產(chǎn)相配套的分析檢驗(yàn)技術(shù)、環(huán)境處理與監(jiān)測(cè)技術(shù)等、包裝技術(shù)等。在半導(dǎo)體濕化學(xué)品供應(yīng)商方面，市場(chǎng)份額主要掌握在歐美、日本、韓國(guó)等國(guó)家的企業(yè)手中，高端產(chǎn)品市場(chǎng)依賴(lài)進(jìn)口。

▉ 全球濕電子化學(xué)品產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局 ▉

在半導(dǎo)體濕化學(xué)品供應(yīng)商方面，市場(chǎng)份額主要掌握在歐美、日本、韓國(guó)等國(guó)家的企業(yè)手中，包括德國(guó)巴斯夫，美國(guó)亞什蘭化學(xué)、Arch 化學(xué)，日本關(guān)東化學(xué)、三菱化學(xué)、京都化工、住友化學(xué)、和光純藥工業(yè)，臺(tái)灣鑫林科技，韓國(guó)東友精細(xì)化工等，上述公司占全球市場(chǎng)份額的85%以上。

表12 全球濕電子化學(xué)品主要生產(chǎn)企業(yè)

▉ 國(guó)內(nèi)濕電子化學(xué)品知名企業(yè) ▉

濕電子化學(xué)品領(lǐng)域與國(guó)外尚有較大差距，高端市場(chǎng)主要集中在美、日、歐等少數(shù)大廠商手中，比如在對(duì)電子化學(xué)品純度等級(jí)要求較高的半導(dǎo)體和平板顯示領(lǐng)域，我國(guó)內(nèi)資企業(yè)市場(chǎng)占有率僅達(dá)到 25%左右。

表13國(guó)內(nèi)濕電子化學(xué)品知名企業(yè)

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七

電子特種氣體

Source：圖蟲(chóng)創(chuàng)意

電子氣體是指用于半導(dǎo)體及相關(guān)電子產(chǎn)品生產(chǎn)的特種氣體，被廣泛應(yīng)用于國(guó)防軍事、航空航天、新型太陽(yáng)能電池、電子產(chǎn)品等領(lǐng)域，是電子工業(yè)體系的核心關(guān)鍵原材料之一，市場(chǎng)準(zhǔn)入條件高。其行業(yè)技術(shù)壁壘在于從生產(chǎn)到分離提純以及運(yùn)輸供應(yīng)階段，一直受到歐美發(fā)達(dá)國(guó)家的技術(shù)封鎖。電子特種氣體行業(yè)集中度高，美電子特種氣體行業(yè)集中度高，美國(guó)氣體化工、美國(guó)普萊克斯、法國(guó)液化空氣、日本大陽(yáng)日酸株式會(huì)社和德國(guó)林德集團(tuán)五家公司壟斷全球特種氣體91%的市場(chǎng)份額。國(guó)內(nèi)企業(yè)主要集中在中低端市場(chǎng)。

▉ 全球電子特種氣體產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局 ▉

表14 全球電子特種氣體知名企業(yè)

Source：金宏氣體招股說(shuō)明書(shū)，西部證券、賽瑞研究

▉ 國(guó)內(nèi)電子特種氣體知名企業(yè) ▉

表15 國(guó)內(nèi)電子特種氣體知名企業(yè)

Source：公開(kāi)資料整理

八

高純?yōu)R射靶材

Source：圖蟲(chóng)創(chuàng)意

利用離子源產(chǎn)生的離子轟擊固體表面，使固體表面的原子離開(kāi)固體并沉積在基底表面，被轟擊的固體稱(chēng)為濺射靶材, 是集成電路制造過(guò)程中的關(guān)鍵材料，根據(jù)應(yīng)用領(lǐng)域，分為半導(dǎo)體靶材、面板靶材、光伏靶材等。高純?yōu)R射靶材制造環(huán)節(jié)技術(shù)門(mén)檻高、設(shè)備投資大，在濺射靶材產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)的企業(yè)數(shù)量呈現(xiàn)金字塔型分布，半導(dǎo)體濺射靶材行業(yè)集中度很高，前五大廠商占比超過(guò)80%。具有規(guī)?；a(chǎn)能力的企業(yè)數(shù)量相對(duì)較少，主要分布在美國(guó)、日本等國(guó)家和地區(qū)。

▉ 全球靶材產(chǎn)業(yè)企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局 ▉

表16 全球靶材知名企業(yè)

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▉ 國(guó)內(nèi)靶材知名上市企業(yè) ▉

表17 國(guó)內(nèi)靶材知名上市公司

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九

化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）材料

Source：新材料在線?

化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）是集成電路制造過(guò)程中實(shí)現(xiàn)晶圓全局均勻平坦化的關(guān)鍵工藝，是通過(guò)化學(xué)作用和機(jī)械研磨的組合技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)晶圓表面微米/納米級(jí)不同材料的去除，從而達(dá)到晶圓表面的高度（納米級(jí)）平坦化效應(yīng)。拋光材料是 CMP 工藝過(guò)程中必不可少的耗材，具有技術(shù)壁壘高，客戶(hù)認(rèn)證時(shí)間長(zhǎng)的特點(diǎn)，一直以來(lái)處于寡頭壟斷的格局。根據(jù)功能的不同，拋光材料可劃分為拋光墊、拋光液、調(diào)節(jié)器、以及清潔劑等，主要以拋光液和拋光墊為主。全球芯片拋光液市場(chǎng)主要被在美國(guó)、日本、韓國(guó)企業(yè)所壟斷。全球 CMP 拋光墊幾乎全部被陶氏所壟斷，占據(jù)80%的市場(chǎng)。

▉ 全球CMP材料產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局 ▉

全球芯片拋光液市場(chǎng)主要被美國(guó)、日本、韓國(guó)等企業(yè)壟斷，占全球高端市場(chǎng)份額90%以上。CMP拋光墊方面，陶氏杜邦占79%的市場(chǎng)份額。

表18 全球拋光材料知名企業(yè)

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▉ 國(guó)內(nèi)CMP材料知名企業(yè) ▉

拋光液方面，目前中國(guó)在不銹鋼、鋁、鎢等中低端領(lǐng)域拋光液基本實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化。安集微電子率先在高品質(zhì)拋光液技術(shù)方面打破國(guó)外壟斷，進(jìn)入晶圓拋光液領(lǐng)域。拋光墊方面，中國(guó)企業(yè)在高端拋光墊市場(chǎng)幾乎屬于空白，近年來(lái)鼎龍股份逐步取得突破。

表19 國(guó)內(nèi)拋光材料知名企業(yè)

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十

碳化硅單晶

Source：圖蟲(chóng)創(chuàng)意

碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈主要包含單晶材料、外延材料、器件、模塊和應(yīng)用這幾個(gè)環(huán)節(jié)。碳化硅單晶是碳化硅功率半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)，質(zhì)量、大尺寸的碳化硅單晶材料是碳化硅技術(shù)發(fā)展首要解決的問(wèn)題，持續(xù)增大晶圓尺寸、降低缺陷密度（微管、位錯(cuò)、層錯(cuò)等）是其重點(diǎn)發(fā)展方向。

碳化硅單晶材料主要有導(dǎo)通型襯底和半絕緣襯底兩種, 是第三代半導(dǎo)體材料技術(shù)成熟度最高的材料，目前基本被國(guó)外企業(yè)壟斷。

高導(dǎo)通型襯底材料是制造碳化硅功率半導(dǎo)體器件的基材。半絕緣襯底具備高電阻的同時(shí)可以承受更高的頻率，因此在5G通訊和新一代智能互聯(lián)，傳感感應(yīng)器件上具備廣闊的應(yīng)用空間。

▉ 全球氮化硅單晶產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局 ▉

表20 全球碳化硅單晶知名企業(yè)

Source：公開(kāi)資料整理

▉ 國(guó)內(nèi)氮化硅單晶知名企業(yè) ▉

國(guó)內(nèi)主要碳化硅單晶襯底材料企業(yè)和研發(fā)機(jī)構(gòu)已經(jīng)具備了成熟的4英寸零微管碳化硅單晶產(chǎn)品，并已經(jīng)研發(fā)出了6英寸單晶樣品，但是在晶體材料質(zhì)量和產(chǎn)業(yè)化能力方面距離國(guó)際先進(jìn)水平存在一定差距。

表21 國(guó)內(nèi)碳化硅單晶知名企業(yè)

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當(dāng)前，新一輪科技革命與產(chǎn)業(yè)變革蓄勢(shì)待發(fā)，全球新材料產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局正在進(jìn)行重大調(diào)整。未來(lái)五年，是產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整、制造業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)的關(guān)鍵時(shí)期。

關(guān)鍵時(shí)期。

關(guān)鍵時(shí)期。