隨著5G、AI等技術(shù)發(fā)展，以及配合先進(jìn)制程的研發(fā)，預(yù)計(jì)將能帶動(dòng)相關(guān)AI、高性能計(jì)算相關(guān)的IC設(shè)計(jì)廠商，將有機(jī)會(huì)持續(xù)受惠于此。

目前半導(dǎo)體存貨天數(shù)達(dá)到歷史新高，通貨膨脹、升息、新冠疫情等總體因素，讓供需反轉(zhuǎn)，廠商庫(kù)存堆積嚴(yán)重，2022年第4季度存貨天數(shù)持續(xù)上升，同樣地，以存貨天數(shù)年增率來看，相較2020～2021年低庫(kù)存環(huán)境，目前存貨天數(shù)年增率超過20%，已連續(xù)四季度呈現(xiàn)高成長(zhǎng)。

若以營(yíng)收年增率角度觀之，2020～2021年受惠疫情紅利帶動(dòng)電子產(chǎn)品需求大增，營(yíng)收年增率高，但到2022年，雖然上半年仍有超過20%成長(zhǎng)，但主要來自于芯片價(jià)格較去年同期大幅成長(zhǎng)，下半年隨著終端對(duì)上游拉貨量減少，及芯片價(jià)格開始下滑，在高營(yíng)收年增率基期之下，年增率將開始收斂，并在2023年上半年轉(zhuǎn)為負(fù)成長(zhǎng)，步入產(chǎn)業(yè)下行循環(huán)。

根據(jù)下游各產(chǎn)業(yè)狀況，包括手機(jī)、筆記本電腦、電視等消費(fèi)性及商用產(chǎn)品的綜合評(píng)估之下，預(yù)期2023年中將有望落底，并于下半年回升，而落底的信號(hào)有三個(gè)指標(biāo)，首先是晶圓代工廠的稼動(dòng)率下滑，其次是IC設(shè)計(jì)廠商減少投片量，最后是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)營(yíng)收年增率由正轉(zhuǎn)負(fù)等以上三個(gè)負(fù)面信號(hào)出現(xiàn)，將有助于讓產(chǎn)業(yè)供過于求狀況漸趨平衡，庫(kù)存去化至健康水準(zhǔn)，才可望在今年下半年回歸正常淡旺季，并讓手機(jī)等消費(fèi)性新品推出后，得到良好的發(fā)揮。從各終端電子產(chǎn)業(yè)出貨量、月營(yíng)收回溫、庫(kù)存調(diào)整去化等多面向綜合判斷，預(yù)期基本面先行劇烈修正的消費(fèi)性產(chǎn)品，例如TV、面板、板卡、驅(qū)動(dòng)IC等，將陸續(xù)迎接營(yíng)收年減幅逐漸收斂、營(yíng)收季增幅最差已過的落底行情，至于手機(jī)市況欠佳，仍需一段時(shí)間才能落底。

先進(jìn)制程帶來新商機(jī)

新商機(jī)方面，先進(jìn)制程的持續(xù)推進(jìn)，需要龐大研發(fā)投入與資本支出的支持，先進(jìn)制程的開發(fā)成本愈來愈高，一旦犯錯(cuò)的成本也就愈高，因此良率的重要性將更被強(qiáng)調(diào)，尤其到了2納米的技術(shù)節(jié)點(diǎn)，使用的核心架構(gòu)也從最初的平面（Planar），到鰭式（FIN），再到繞式（GAA）的多維度元件架構(gòu)，而核心架構(gòu)演進(jìn)意味著檢測(cè)分析的技術(shù)、難度、單價(jià)跟著提升。

根據(jù)機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，采用FinFET制程的5納米芯片設(shè)計(jì)成本，已是28納米的近八倍，更復(fù)雜的GAA結(jié)構(gòu)耗費(fèi)的設(shè)計(jì)成本只會(huì)更多。

高效能的芯片，須透過精準(zhǔn)的半導(dǎo)體集成電路制程產(chǎn)出，但由于集成電路制程線寬愈做愈小，從65納米制程演進(jìn)到45納米、32納米、22納米……，精準(zhǔn)度的要求會(huì)隨制程線寬的下縮而提高，由于線寬已經(jīng)遠(yuǎn)小于傳統(tǒng)影像量測(cè)法所能偵測(cè)的極限，同時(shí)集成電路的圖樣密度及制程復(fù)雜度不斷增加，使得 45納米以下制程的良率面臨極大的挑戰(zhàn)。為了克服良率挑戰(zhàn)，必須增加更多制程疊對(duì)(Overlay)量測(cè)取樣，并且更有效率地運(yùn)用先進(jìn)疊對(duì)圖樣設(shè)計(jì)，同時(shí)提升疊對(duì)系統(tǒng)的精準(zhǔn)度與速度。因此需要開發(fā)創(chuàng)新并且可靠的制程疊對(duì)檢測(cè)技術(shù)應(yīng)用于先進(jìn)制程即時(shí)檢測(cè)及回饋控制，以確保量產(chǎn)制程產(chǎn)品良率能夠提升，國(guó)際上相關(guān)研究單位都積極朝向開發(fā)可突破光學(xué)繞射極限的量測(cè)技術(shù)，以確保未來前瞻制程參數(shù)的量測(cè)準(zhǔn)確度能符合國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)藍(lán)圖(ITRS, International Technology Roadmap of Semiconductor)的要求。

檢測(cè)分析需求與半導(dǎo)體研發(fā)費(fèi)用、資本支出、先進(jìn)制程投入呈正相關(guān)，受消費(fèi)性景氣需求不振影響有限，且商業(yè)模式以收取檢測(cè)分析服務(wù)之收入，并無實(shí)體庫(kù)存需要去化或跌價(jià)之問題，在目前電子供應(yīng)鏈庫(kù)存調(diào)整周期下，影響相對(duì)有限。因此，看好半導(dǎo)體先進(jìn)制程演進(jìn)照亮檢測(cè)前景，加上其零庫(kù)存經(jīng)營(yíng)模式，景氣波動(dòng)影響有限，同時(shí)半導(dǎo)體自主化、第三代半導(dǎo)體也將有助于推升檢測(cè)分析的需求，而中國(guó)臺(tái)灣材料分析大廠也以高度資本支出，及長(zhǎng)年技術(shù)優(yōu)勢(shì)，建立進(jìn)入障礙，未來將跟上先進(jìn)制程腳步，受益于先進(jìn)制程檢測(cè)商機(jī)。

另外，隨著5G、AI等技術(shù)發(fā)展，以及配合先進(jìn)制程的研發(fā)，預(yù)計(jì)將能帶動(dòng)相關(guān)AI、高性能計(jì)算相關(guān)的IC設(shè)計(jì)廠商，將有機(jī)會(huì)持續(xù)受惠于此。綜合上述，半導(dǎo)體下行循環(huán)尾聲，可留意景氣落底產(chǎn)業(yè)、先進(jìn)制程檢測(cè)、IC設(shè)計(jì)廠商的投資機(jī)會(huì)。

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